深紫外Micro-LED与超宽色域显示技术取得进展

近日，由南方科技大学电子系、香港科技大学先进显示与光电子国家重点实验室、中科院苏州纳米所组成的联合攻关团队在深紫外Micro-LED与超宽色域显示技术领域取得进展，相关结果发表于电子领域顶级期刊IEEE Electron Device Letters。

基于AlGaN的深紫外Micro-LED在光电与显示、生物医学、大健康等领域备受瞩目。在本研究中，研发团队设计并制备了不同规格的深紫外Micro-LED阵列器件，像素尺寸从10×10 μm2 到200×200 μm2，其中10×10 μm2 的Deep-UV Micro-LED在连续波发光情况下，最高亮度达到了185 W/cm2，最高外量子效率达到了3.43%，是目前同类型深紫外Micro-LED器件的最高外量子效率。

此外，该研究采用深紫外Micro-LED阵列作为激发源，采用色转换的方法使三色量子点薄膜发光，达到了Rec. 2020标准121%（或为NTSC标准179%）的超宽色域，这是目前已知显示技术中报道的最宽色域值，展现了该技术在未来新型显示领域的应用中具有很大的潜力。

原文题目：AlGaN-based Deep-UV Micro-LED Array for Quantum Dots Converted Display with Ultra-wide Color Gamut

通讯作者：南方科技大学电子系 Zhaojun Liu (e-mail: liuzj@sustech.edu.cn)

论文作者：Feng Feng, Ke Zhang, Yibo Liu, Yonghong Lin, Ke Xu, Hoi Sing Kwok, and Zhaojun Liu

原文链接：https://doi.org/10.1109/LED.2021.3130750

致谢：本文作者感谢香港科技大学纳米系统制造实验中心(Nanosystem Fabrication Facility)、深圳思坦科技有限公司 、苏州纳维科技有限公司提供技术支持。感谢香港科技大学刘纪美教授、台湾交通大学郭浩中教授、香港城市大学何志浩教授、南方科技大学孙小卫教授、于洪宇教授、王恺教授、北京大学深圳研究生院林信南教授等各方给予的指导和帮助。